王岸然無心公司的日常事務(wù)，每一項(xiàng)決策都是選擇題，雖然有前世的見識(shí)，大部分他可以很容易選出最佳的答案。
不過在人事，銷售，團(tuán)隊(duì)培養(yǎng)，金融等各方面，他還是小白的存在。
事實(shí)上王岸然前世一直沒有企業(yè)管理的經(jīng)驗(yàn)，雖然混上了AMD的高層，但也僅僅是技術(shù)大拿。
相比於坐在辦公室簽字，他更喜歡留在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)，解決一個(gè)接著一個(gè)的技術(shù)難題。
此刻，最讓他感興趣的，莫過於芯片製造。
華芯科技的芯片加工廠已經(jīng)進(jìn)行了生產(chǎn)調(diào)試，三條生產(chǎn)線的表現(xiàn)有所差異。
來自東芝的芯片生產(chǎn)線，試生產(chǎn)的良品率就達(dá)到了60%以上，而IBM的生產(chǎn)線，良品率也達(dá)到了40%以上。
技術(shù)人員已經(jīng)嚴(yán)格按操作規(guī)程作業(yè)，但要知道，芯片生產(chǎn)幾百道工序，每道工序即便達(dá)到99%的成功率，累計(jì)到300個(gè)指數(shù)等級(jí)下去，良品率將不足0.1%。
所以每一道工序必須保證99.999999……%的準(zhǔn)確率。
可想而知，要保證良品率，得需要付出多大的努力。
在東芝技術(shù)人員的幫助下，對(duì)Intel轉(zhuǎn)讓的金屬鋁物理氣相沉積技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)，效果出人意料的好。
爲(wèi)此，王岸然還和東芝簽定了補(bǔ)充協(xié)議，以五百萬美元的代價(jià)，邀請(qǐng)東芝的技術(shù)人員幫忙消化Intel的技術(shù)。
事實(shí)上，王岸然非常喜歡和東芝這樣的公司打交道，只要有錢，總能在儘可能程度上滿足你的需求，而且不折不扣。
現(xiàn)在的東芝日子可不好過，因爲(wèi)賣給蘇聯(lián)五軸聯(lián)動(dòng)機(jī)牀的事，到現(xiàn)在老美都不願(yuàn)意放過他，東芝的產(chǎn)品在美國是不允許售賣的，要知道這個(gè)時(shí)候的美國，是全世界半導(dǎo)體最大的市場，直接砍斷，對(duì)東芝的影響力可謂空前。
再加上美利堅(jiān)的小弟英格蘭，爲(wèi)了表現(xiàn)自己對(duì)老大的衷心，帶頭對(duì)東芝進(jìn)行封殺，還煽動(dòng)英聯(lián)邦的成員對(duì)東芝進(jìn)行制裁。
一時(shí)間，東芝損失了全球大半的市場，以至於每年的財(cái)報(bào)上都是一長串的赤字。
與華芯科技的合作，總共可是涉及了上億美元，這是大生意，對(duì)現(xiàn)在的東芝而言，尤爲(wèi)重要。
而且金屬鋁連接技術(shù)可是你Intel轉(zhuǎn)讓的，跟東芝可沒關(guān)係，東芝要做的，就是當(dāng)一個(gè)老師，把華芯科技的技術(shù)人員教會(huì)該怎麼使用。
兩家公司一拍即合，順利達(dá)成意向。
當(dāng)然如果這麼簡單，華芯科技這五百萬美元，花的可就有點(diǎn)冤枉了，成套的鋁金屬連接技術(shù)，只要花時(shí)間，總能得到解決。
在王岸然的辦公室，東芝的技術(shù)代表橋本龜太郎，鞠躬鞠的王岸然頭暈。
“岸然君，貴方要求的，與東芝公司成立合作研究機(jī)構(gòu)，致力於半導(dǎo)體芯片加工中，金屬銅物理氣相沉積PDV的研究，已經(jīng)得到公司的審批，東芝公司非常願(yuàn)意跟華芯公司展開更深入的合作。”
王岸然站起身來，跟橋本龜太郎熱情的握了握手。
這項(xiàng)合作可是花了華芯科技三十四條專利授權(quán)，加上1000萬美金的技術(shù)服務(wù)費(fèi)才達(dá)成的。
價(jià)值人民幣上億，貴可能貴了點(diǎn)，不過王岸然認(rèn)爲(wèi)有價(jià)值，這就已經(jīng)足夠了。
於此同時(shí)，浸入式光刻與雙工臺(tái)的研究也開始進(jìn)入日程，讓王岸然苦惱的是，他找不到合適的技術(shù)帶頭人，所以一直無法推進(jìn)。
不過另一項(xiàng)與浸入式光刻齊名的FinFET生產(chǎn)工藝，王岸然覺的大有可爲(wèi)。
Fin Field_Effect Transistor 鰭式場效應(yīng)晶體管，相比與MOS晶體管而言，這是一款新型的晶體管模式。
是有華人科學(xué)家胡正明教授提出，並建立了系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型。
特點(diǎn)是工藝不變的情況下，可以在相同的面積內(nèi)塞進(jìn)更多的晶體管，而且漏電量和功耗同步大幅度降低。
FinFET技術(shù)在9102年已經(jīng)相當(dāng)成熟，他本是Intel於2011年第一次推出，用於22納米制造工藝上的第三代酷睿處理器上，隨後大部分的半導(dǎo)體廠家開始加入到FinFET工藝陣營當(dāng)中。
技術(shù)難度比起普通的MOS有所提高，工藝上也增加了幾十道光、蝕刻、清洗、填塞、氣相沉積過程。
對(duì)華芯科技而言，技術(shù)難點(diǎn)就是材料的物理氣相沉積PDV技術(shù)，以及堆疊薄膜鍍層保護(hù)和蝕刻技術(shù)。
相比沉浸式光刻技術(shù)以及雙工臺(tái)技術(shù)的難度而言，F(xiàn)inFET技術(shù)猶如小學(xué)生的作業(yè)題，在現(xiàn)有的技術(shù)條件下就可以完成。
加上自對(duì)準(zhǔn)雙重成像技術(shù)SADP，一旦得到攻克，王岸然有信心在不調(diào)整硬件的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)800納米制造工藝的突破，並將芯片的集成度達(dá)到320納米制造工藝的程度。
研究課題的確認(rèn)，需要理論方面的支持，基於FinFET工藝的BSIM數(shù)學(xué)模型有現(xiàn)實(shí)的指導(dǎo)意義。
9102年，如果說一個(gè)芯片底層硬件邏輯電路工程師，對(duì)BSIM不瞭解，那他肯定是混日子的。
BSIM邏輯電路設(shè)計(jì)模型在基於FinFET工藝中的作用不可替代，王岸然自然不陌生，甚至他可以清晰的記得數(shù)學(xué)模型中每一個(gè)參數(shù)的設(shè)置。
不過就這樣堂而皇之的拿出來，多有不方便之處。
爲(wèi)此王岸然專門成立了FinFET專用研究實(shí)驗(yàn)室，召集了包括季小青、胡效旻、劉赫在內(nèi)的一大幫華芯科技的基幹力量。
“大家很清楚，我們的製造工藝，比起國際上主流的製造工藝落後了兩到三代，比起國外最新的尖端研究，那不知道落後多少代了。
今天我召集大家來到這裡，就是要開展一項(xiàng)FinFET工藝的開發(fā)，我可以很自豪的告訴大家，在這方面，我們走到了全世界的前列。”
王岸然的話成功了煽動(dòng)了大家的熱情，對(duì)於大多人人來說，對(duì)Fin並不陌生，關(guān)於場鰭效應(yīng)的論文在國際上並不新鮮。
可以在這項(xiàng)新的理論模型下，進(jìn)行實(shí)際應(yīng)用的研究，也是一件令人振奮的事。
就在王岸然正在埋頭進(jìn)行FinFET工藝模型架構(gòu)的創(chuàng)建之時(shí)，一則消息打破了他的平靜。
“王總，德州儀器CEO安德森已經(jīng)抵達(dá)了燕京，他希望就合作事宜，儘快與你進(jìn)行會(huì)面。”
合作！拿技術(shù)來合作啊，華芯科技肯定比你想象中的更有誠意。
王岸然點(diǎn)點(diǎn)頭，對(duì)張磊說道：“聯(lián)繫技術(shù)部，雷總，明天上午九點(diǎn)開會(huì)，這次我們要好好討論一下，該要點(diǎn)什麼？”